اینتل: به فناوری جدید ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) روی می آورد

پس از مشکلات در تولید 10 نانومتر، اینتل می خواهد راه های دیگری برای رقابت در بازار پردازنده ها پیدا کند.

Σکنفرانس VLSI 2020 مدیر ارشد فناوری مایک میبری از اینتل به "آینده محاسبات" اشاره کرد، موضوعی که انتظار می رود در سال های آینده این شرکت را نگران کند.

ما عملاً در مورد گذار اینتل از طراحی کلاسیک خود صحبت می کنیم ترانزیستور (FinFET)، جایی که ما با تراز سه بعدی اینها در یک کاملا جدید سروکار داریم و در نتیجه محصولات جدید انقلابی ایجاد می کنیم.

یکی از سوالات پایان کنفرانس در مورد آینده فناوری و آنجا بود میبری او گفت که انتظار دارد ترانزیستورهای نانوسیمی تا پنج سال دیگر تولید شوند، اما این چیزی نیست که بتواند تاریخ عرضه خاصی را ارائه دهد.

اینتل همراه با سایر شرکت‌های بزرگ در این زمینه مانند سامسونگ، روش‌های جدید تولید انقلابی را پیش خواهد برد. اما قبل از آن تایید می کند که در سال 2021 شاهد ورود آنها خواهیم بود 10nm + و همچنین یک گره جدید، که از 7nm برای ظاهر شدن ورق های محصول با آرزوی انتشار در اواخر سال.

چیزی که اینتل را مانند دیگر شرکت های ترانزیستوری اشغال خواهد کرد، طراحی است دروازه همه جانبه (GAA) که شامل پره‌های ترانزیستور تقریباً شناور با مثبت اصلی آنها، کوچک بودن اندازه است.

این، همراه با سایر نکات مثبت مانند مقیاس پذیری بیشتر که می تواند در برابر آن ارائه دهد FinFET ترانزیستورهای GAA را به گام بزرگ بعدی اینتل تبدیل می کند که سایر شرکت ها در آینده نزدیک به آن تکیه خواهند کرد.

منبع