Η شرکت تولیدی نیمه هادی تایوان. به طور رسمی در سمپوزیوم فناوری TSMC 2022، تکنولوژی ساخت آن است N2 (دسته 2 نانومتر)
O اولین گره آن TSMC در رده از 2 نانومتر از ترانزیستورهای اثر میدانی (GAAFET ها - ترانزیستورهای اثر میدانی همه جانبه) و فرآیند تولید جدید مزایای عملکرد و قدرت را ارائه می دهد، اما از نظر تراکم ترانزیستور، در سال 2025 زمانی که عرضه شود، به سختی تحت تاثیر قرار خواهد گرفت.
به عنوان یک پلت فرم جدید فناوری فرآیند، N2 از TSMC دو نوآوری کلیدی را به ارمغان می آورد: ترانزیستورهای نانوفویل (که T آن را می نامدSMC به عنوان GAAFET) و ریل برق پشتی در خدمت همان هدف افزایش ویژگی های عملکرد در هر وات گره.
ترانزیستورهای نانوفویل GAA دارای کانال هایی هستند که از چهار طرف توسط دروازه احاطه شده اند که نشت را کاهش می دهد. علاوه بر این، کانال‌های آنها را می‌توان برای افزایش جریان ترافیک و افزایش راندمان افزایش داد یا برای به حداقل رساندن مصرف برق و هزینه‌ها، منقبض شد.
برای تغذیه این ترانزیستورهای نانوفویل با توان کافی و هدر دادن هر یک از آنها، N2 از TSMC از منبع تغذیه در قسمت عقب استفاده می کند که یکی از بهترین راه حل ها برای مبارزه با مقاومت های خط عقب محسوب می شود.BEOL).
در واقع، از نظر بهره وری انرژی و مصرف، گره N2 مبتنی بر نانو TSMC می تواند به 10 تا 15 درصد بازدهی بالاتر با همین قدرت و پیچیدگی و 2مصرف انرژی 5 تا 30 درصد کمتر در همان فرکانس و تعداد ترانزیستور در مقایسه با TSMC N3E. با این حال، گره جدید چگالی تراشه را تنها در حدود 1,1 برابر در مقایسه با N3E افزایش می دهد.
به طور کلی، N3 از TSMC راندمان گره را به طور کامل افزایش می دهد و مصرف برق را کاهش می دهد. اما از نظر چگالی، فناوری جدید به سختی می تواند تحت تأثیر قرار گیرد. به عنوان مثال، گره N3E پیشنهادات TSMC 1,3X افزایش تراکم تراشه نسبت به N5 که افزایش قابل توجهی است.
فراموش نکنید که آن را دنبال کنید Xiaomi-miui.gr در اخبار گوگل تا بلافاصله در مورد تمام مقالات جدید ما مطلع شوید! همچنین اگر از RSS reader استفاده می‌کنید، می‌توانید صفحه ما را به سادگی با دنبال کردن این پیوند >> به لیست خود اضافه کنید https://news.xiaomi-miui.gr/feed/gn
ما را دنبال در تلگرام به طوری که شما اولین کسی باشید که از همه اخبار ما مطلع می شوید!
